AI驱动下的存储革命:DRAM、NAND、NOR全面回暖,国产化迎黄金时代

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关键字:AI存储需求、DRAM价格回升、NAND市场增长、国产化进程、3DDRAM、企业级SSD

行情综述:5月“暖春”信号确认,存储涨势延至Q3

2025年5月,DRAM与NAND闪存的月平均价格已连续两月上行,行业进入明确的复苏通道。东方证券研判,本轮行情受到双重催化——供给端大厂按计划减产,需求端则由AI大模型训练、端侧推理及数据中心的扩充共同推高。涨价潮有望贯穿第三季度,为国产供应链带来量价齐升窗口期。

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AI成为存储增量最大引擎

PrecedenceResearch最新报告显示,全球AI驱动的存储市场将从2024年287亿美元膨胀至2034年2552亿美元,年均复合增长率(CAGR)高达24.4%。这波浪潮里,中国厂商握有三大机会:

  1. 算力基建极速扩张——大模型参数规模每三个月翻倍,带动高带宽存储(HBM)与高密度固态盘(SSD)的同步扩容。
  2. 端侧AI落地——可穿戴、车载、工业网关等设备追求“低功耗+大容量”,定制化存储芯片需求跃升。
  3. 自主可控政策加码——“信创”、“国产化2.0”等政策暖风频吹,为本土供给打开长期市场天花板。

DRAM篇:利基DDR4逆袭,3DDRAM破圈

1. 供需剪刀差下的DDR4溢价

原厂将资本支出集中投向12-16层堆叠的HBM3e,传统DDR4产能受限,而智能手机、机顶盒、网通设备仍在消化旧规格库存。Tier2厂商凭借灵活产能与较长交期,迅速填补空缺。数据显示,国产二线品牌的DDR4现货溢价已扩大至15%-20%,利润率显著改善。

2. 3DDRAM进入产业化拐点

Flash篇:企业级SSD崛起,NOR闪光企稳步慢跑

1. NAND:数据中心加码,容量升级

2. NOR Flash:小而香的配套市场

车规级MCU与5G通信模组里,NOR的“瞬时启动”优势不可替代。国内企业通过高容1Gb及以上产品切入,叠加RISC-V开源生态,形成差异化护城河。

国产化时间线:产业链全面共振

  1. 设计端:国产存储IC公司已覆盖利基型DRAM、消费电子级NAND与工业级NOR,工程师红利持续释放。
  2. 制造端:先进节点从28nm向17nm迈进,堆叠层数突破200层,带动国产设备材料替代。
  3. 封测端:硅打孔(TSV)、Fan-out等先进封装技术量产良率突破90%,成本差距缩小至国际巨头的1.2倍以内。

东方证券认为,政策红利+技术突破+市场扩张三连击,将使国产存储在未来五年迎来黄金发展期——市占率从目前的25%左右抬升至40%以上。

实战FAQ:读者最关心的6个问题

Q1:AI存储概念火热,普通投资者该怎么上车?
研究细分龙头:兼顾晶圆厂、模组厂及芯片设计公司,确认其在AI或国产化里拥有明确需求订单。

Q2:DRAM涨价是否会昙花一现?
本轮旺季备货叠加原厂减产,供给缺口确定性高;再叠加AI服务器采购高峰,行情至少维持到2026年初。

Q3:3DDRAM与HBM有何区别?
概念上,HBM是通过TSV打通多层DRAM的“堆栈式”高带宽内存;3DDRAM采用晶圆级混合键合,适合端侧AI小型化需求。

Q4:国产NAND何时真正赶超海外巨头?
制程差距已缩小至1.5代以内,最大难点在于量产良率。预计2026年可进入技术与成本的“并行阶段”。

Q5:存储板块投资风险有哪些?
需警惕宏观下行导致消费电子需求萎靡,以及海外贸易政策反复带来的出口端不确定。

Q6:车规存储会是下一风口吗?
高阶自动驾驶需要持续写入码流,车规SSD和NOR均已进入车企定点验证,2027年或批量出货。

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结语:以十年视角做三年决策

当AI大模型愈发胁迫“算力-存力”双轮驱动,存储已从“跟随者”华丽转身为“卖水人”。国产化进程正在撕开技术藩篱,“需求×政策×技术”三浪叠加,使整个行业进入长坡厚雪阶段。把握当前供需失衡窗口,提前卡位链条核心资产,才能在下一波周期拐点到来时游刃有余。